Dank der US-Sanktionen im Nanochip-Bereich hat Peking die Forschung in diesem High-Tech-Sektor vorangetrieben. Offensichtlich mit Erfolg. Ein auf Bismut basierender Transistor, entwickelt von chinesischen Wissenschaftlern, könnte das Chip-Design revolutionieren. Denn dieser neue Nano-Chip ist angeblich schneller und energieeffizienter als jene von Intel und TSMC.
Wirtschaftssanktionen führen nur selten zu den gewünschten Ergebnissen. Manchmal können sie sogar das Gegenteil dessen bewirken, was ursprünglich beabsichtigt war. Während Russland beispielsweise infolge der massiven Sanktionswelle in vielen Bereichen eine gewisse Autarkie erreichte, konnte China kürzlich einen gewaltigen technologischen Erfolg vermelden.
So erklärte ein Forscherteam der Universität von Peking, einen Durchbruch in der Chiptechnologie erzielt zu haben. Dieser könnte das Wettrennen um die leistungsfähigen Computerchips neu aufstellen. Demnach ist deren neu entwickelter 2D-Transistor um 40 Prozent schneller als die neuesten 3-Nanometer-Siliziumchips von Intel (USA) und TSMC (Taiwan), welche den bisherigen Hochleistungsstandard stellen – und das bei einem um 10 Prozent niedrigeren Energieverbrauch. Ihre Ergebnisse präsentierten sie auch in einem Papier, veröffentlicht bei “Nature Materials“.
Unter der Leitung von Professor Peng Hailin für physikalische Chemie glaubt das Forschungsteam, dass ihr Ansatz einen fundamentalen Wandel in der Halbleitertechnologie darstellt. “Wenn Innovationen bei Chips auf Basis bestehender Materialien als ‚Abkürzung‘ gelten, dann ist unsere Entwicklung von Transistoren auf Basis 2D-Materialien vergleichbar mit einem ‚Spurwechsel‘”, sagte Peng in der Erklärung. Es sei “der schnellste und effizienteste Transistor aller Zeiten”, so die Forscher.
Der Durchbruch des chinesischen Teams basiert auf einem Bismut-basierten Transistor, der die fortschrittlichsten kommerziellen Chips von Intel, TSMC, Samsung und dem belgischen Interuniversitären Mikroelektronikzentrum übertrifft. Im Gegensatz zu herkömmlichen siliziumbasierten Transistoren, die bei extrem kleinen Maßstäben mit Miniaturisierung und Energieeffizienz zu kämpfen haben, bietet dieses neue Design eine Lösung ohne diese Einschränkungen.
Es seien auch die US-Sanktionen gegen China gewesen, die zu diesen Entwicklungen führten, sagen die Forscher. Man könnte auch sagen, dass Washington damit genau das Gegenteil dessen erzielte, was es eigentlich wollte. Anstatt die technologische Entwicklung des Reichs der Mitte zu bremsen, könnte dieses nun auf die Überholspur wechseln. In Zeiten, in denen insbesondere für die Entwicklung der Künstlichen Intelligenz (KI) besonders leistungsstarke und energieeffiziente Computerchips benötigt werden, ist diese Entwicklung besonders kritisch.
Schneller und effizienter – China baut siliziumfreien Hochleistungschip